首都醫科大學北京市神經外科研究所、首都醫科大學附屬北京天壇醫院神經外科共同發表論文，旨在探討腦深部電刺激治療特發性震顫的手術方法，並對治療效果進行隨訪。研究指出，Vim和STN腦深部電刺激是治療特發性震顫的安全、有效手段，可用於單側或雙側特發性震顫。該文章發表在2012年第92卷第15期《中華醫學雜誌》上。

　　對象為2004年1月至2011年6月北京天壇醫院神經外科收治的6例經腦深部電刺激治療的特發性震顫患者，5例選擇丘腦腹中間核(Vim)，1例選擇丘腦底核(STN)，采用解剖圖譜結合MRI影像定位、微電極導向以及術中測試確定靶點坐標，術後行頭顱CT和(或)MRI檢查確定電極位置，對患者刺激參數如電壓、頻率、脈寬進行調控以達到最佳控製效果，采用患者來院複診或電話隨診的方式進行隨訪。

　　結果顯示，6例患者靶點定位準確，術中微電極記錄到典型的電信號，電極植入後患者震顫控製滿意，術後未出現感染、出血、感覺異常、構音障礙、認知功能障礙和平衡障礙、複視等並發症。