CRT-D置入後遠期不良事件發生率較高

作者:高曉方譯 來源:醫學論壇網 日期:11-05-19

  意大利學者的一項研究表明,在當前的臨床實踐中,心室再同步心髒轉複除顫器CRT-D)置入後的裝置相關性事件多於單腔或雙腔起搏器植入後事件,前者進行手術修正的頻率亦較高。但此類事件與不良臨床轉歸似乎無關。論文於2011年5月16日發表於《循環》(Circulation)雜誌。

  在接受CRT-D置入治療的患者中,有關裝置相關性不良事件的遠期資料相當匱乏。此項研究從117個意大利中心中納入了3253例首次接受CRT-D成功置入的患者,並對其進行了中位18個月的隨訪。

  結果顯示,共有416例患者報告出現裝置相關性事件,其中有390例患者接受了手術幹預治療。置入裝置4年後,分別有50%和14%的患者因電池耗竭和預期外事件而行手術修正。作為對照,在上述中心內接受單腔和雙腔除顫器置入者的4年電池耗竭率分別為10%和13%,預期外事件報告率分別為4%和9%。在CRT-D治療者中,感染發生率為1.0%/年,並且感染風險在裝置更換操作後升高(危險比為2.04;P=0.045)。左心室導線脫位的發生率為2.3%/年,並且可由置入時熒光透視時間較長和起搏閾值較高進行預測。裝置相關性事件與不良臨床轉歸無相關性,接受和未接受手術修正患者的死亡風險基本相似(危險比0.90; P=0.682)。

  原文鏈接:

Long-Term Complications Related to Biventricular Defibrillator Implantation

關鍵字:除顫器,起搏器,CRT-D

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